专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种曝光参数快速整定方法、系统及数字曝光-CN202211516147.7在审
  • 周朝阳 - 深圳光迪科技有限公司
  • 2022-11-30 - 2023-03-14 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种曝光参数快速整定方法、系统及数字曝光,方法包括:控制数字曝光曝光头投射图案处于静态全投射状态;以给定的初始曝光头光功率、初始曝光静态扫描速度对曝光头投射图案进行曝光尺标定曝光;根据曝光尺的标定曝光结果调节曝光静态扫描速度以获取满足曝光尺标定要求的曝光头光功率、曝光静态扫描速度;根据曝光头光功率、曝光静态扫描速度,计算动态曝光曝光头光功率对应的曝光持续时间以及曝光静态扫描速度,以及计算曝光头动态曝光曝光静态扫描速度对应的曝光持续时间以及曝光头光功率。本方案通过获取静态全投射状态下满足曝光尺标定要求的曝光头光功率、曝光静态扫描速度,可以在感光膜曝光能量或曝光激光器功率存在偏差的情况下使曝光头光功率、曝光持续时间、最大扫描速度得到快速准确整定。
  • 一种曝光参数快速方法系统数字
  • [发明专利]光刻及其扫描曝光方法-CN201110459524.3有效
  • 伍强;郝静安;刘畅;姚欣;李天慧;舒强;顾一鸣 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2011-12-31 - 2013-07-03 - G03F7/20
  • 本发明提供了一种光刻及其扫描曝光方法,利用所述扫描曝光方法进行扫描曝光时,整个硅片的扫描曝光过程由两个运动交替循环构成:扫描曝光运动和步进运动;并且,本发明中的扫描曝光运动为正弦运动,而不是现有技术中的急剧加速-匀速-急剧减速式扫描曝光运动。对单个曝光场进行扫描时,一旦硅片台和掩模台从零速度开始加速,就可对曝光场进行扫描曝光,直至当硅片台和掩模台的速度减小至零时,扫描曝光才结束,极大的增加了扫描曝光运动中的有效率扫描曝光时间,提高了硅片的生产效率另外,由于硅片台、掩模台以单一频率运动,能抑制和补偿光刻受到的扰动,进而提高硅片上形成图形的精度,并能使扫描曝光速度具有更大的增长空间。
  • 光刻及其扫描曝光方法
  • [发明专利]一种数字曝光及其曝光控制方法-CN201911047306.1有效
  • 王志冲;李付强;刘鹏;冯京;栾兴龙;袁广才;董学 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2019-10-30 - 2021-10-15 - G03F7/22
  • 本发明提供了一种数字曝光及其曝光控制方法,涉及曝光技术领域,采用该方法可以避免因相邻两次扫描的交叠区落在像素图形区导致曝光后的像素图形产生错位和位置拼接差异的问题,极大减小TFT关键尺寸差异,减轻周期性一种数字曝光曝光控制方法,应用于待曝光显示母板,待曝光显示母板至少包括第一待曝光显示基板,第一待曝光显示基板包括阵列排布的多个子像素,该方法包括:从沿数字曝光扫描方向上位于第一排的子像素的外侧开始,经过多次扫描完成对第一待曝光显示基板的显示区域的曝光,每次扫描采用的扫描间距均为沿扫描方向上第一待曝光显示基板中相邻两排子像素的间距的整数倍。本发明适用于显示基板的曝光
  • 一种数字曝光及其控制方法
  • [发明专利]一种扫描曝光方法及装置、扫描曝光设备-CN202210351933.X在审
  • 冯京;刘鹏;王志冲;苌川川;袁广才;董学 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2022-04-02 - 2022-06-28 - G03F7/20
  • 本公开实施例提供一种扫描曝光方法及装置、扫描曝光设备。方法包括:根据待曝光基板的多个待曝光版图,确定目标扫描速度和各待曝光版图分别对应的预设曝光剂量;根据各待曝光版图和各预设曝光剂量,确定各预设曝光剂量在待曝光基板上对应的各曝光区域;根据各预设曝光剂量,确定参考曝光剂量;基于目标扫描速度对待曝光基板进行扫描,在扫描至各曝光区域的情况下,调节数字曝光的数字微镜单元在曝光区域的曝光剂量为对应的目标曝光剂量;其中,根据曝光区域对应的预设曝光剂量、参考曝光剂量以及预设的目标剂量关系式,确定对应的目标曝光剂量。本公开的技术方案,可以实现一次扫描过程中的多剂量曝光,节约了曝光时间。
  • 一种扫描曝光方法装置设备
  • [实用新型]曝光-CN202320267594.7有效
  • 李辉 - 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
  • 2023-02-14 - 2023-08-15 - G03F7/20
  • 本实用新型公开了一种曝光,包括底座、多个扫描平台、曝光装置和冷却管。每个扫描平台可滑动地设在底座上,多个扫描平台沿底座的宽度方向间隔开。曝光装置可滑动地设在底座上,曝光装置位于扫描平台的上方,曝光装置包括固定板和多个曝光件,多个曝光件间隔设在固定板上;冷却管设在固定板的邻近扫描平台的一侧表面,冷却管包围多个曝光件,且冷却管的形状为蛇形,根据本实用新型的曝光,及时对曝光件工作过程中产生的热量进行热交换,达到对固定板和曝光件的降温,防止曝光件的热量传递至固定板,避免固定板因热膨胀而使曝光件的位置发生偏差,进而提高了曝光的对准精度和光刻精度
  • 曝光
  • [发明专利]曝光系统和曝光系统的剂量控制方法-CN202111681338.4在审
  • 吴卫军;湛宾洲;郁健;李运锋 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司
  • 2021-12-28 - 2023-06-30 - G03F7/20
  • 本发明提供了一种曝光系统的剂量控制方法,所述曝光系统具有至少两个分曝光系统,包括:根据每个分曝光系统设定的曝光剂量、设定的基准照度以及有效视场宽度计算每个分曝光系统的最大扫描速度;比较每个分曝光系统的最大扫描速度和工件台支持的最大扫描速度并选择最低值作为工件台的扫描速度;根据所述工件台的扫描速度计算每个分曝光系统中的连续可变衰减器的透过率;根据用户下发的扫描场长度和所述工件台的扫描速度计算扫描时间,并根据所述扫描时间触发同步信号控制指定曝光系统的快门开关进行扫描曝光。解决了多个独立曝光系统的光刻,无法实现指定的曝光系统独立曝光和不同剂量的曝光的问题。
  • 曝光系统剂量控制方法
  • [发明专利]光刻刀口组、大视场光刻曝光方法-CN201610378442.9有效
  • 王斌;杨晓峰;夏洪发 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司
  • 2016-05-31 - 2019-10-25 - G03F7/20
  • 本发明提供一种光刻刀口组、大视场光刻曝光方法,在测试时,扫描向刀口组移动一次进行光照测试,测试完成后移动至对准标记上方;在曝光时,扫描向刀口组跟随掩模台以相同的速度和相同的方向移动,使扫描向刀口组与掩模版的对准标记保持相对静止若为全视场曝光,非扫描向刀口组无需移动,若为局部曝光,则使非扫描向刀口组移动至局部曝光的视场处,由非扫描向刀口组形成的窗口形成控制照明光光斑的形状,然后非扫描向刀口组可保持绝对静止,只需移动掩模台和工作台,即可从一个曝光区域移出该曝光视场,另一个曝光区域移入该曝光视场,继续进行曝光,从而完成所有曝光区域的曝光
  • 光刻刀口视场曝光方法
  • [发明专利]光刻扫描曝光方法-CN200910046823.7有效
  • 张俊 - 上海微电子装备有限公司
  • 2009-02-27 - 2009-07-22 - G03F7/20
  • 本发明提供一种光刻扫描曝光方法,其在光刻的硅平面上设置相互正交的两个方向,并将所述硅平面分为若干曝光场区域,所述光刻机上设置有可变狭缝,所述可变狭缝在所述的两个方向上分别设置有刀口,先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光,再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光,当对曝光场区域其中一个方向扫描曝光时,所述可变狭缝在该方向的刀口从闭合状态开始逐渐打开至最大,再逐渐缩小至闭合状态。本发明通过先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光,再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光。改善了曝光场区域Y方向的剂量均匀性,又能改善X方向的剂量均匀性,从而改善曝光剂量的系统性能,提高光刻线宽的均匀性。
  • 光刻扫描曝光方法
  • [实用新型]超长工件图形转移曝光-CN202220404756.2有效
  • 刘保华;徐小龙;管燕彬 - 昆山建高远自动化科技有限公司
  • 2022-02-24 - 2022-06-24 - G03F7/20
  • 本实用新型公开了一种超长工件图形转移曝光,包括机架,所述机架的上端设有上框架,所述上框架的拐角处设有锁框机构,所述上框架上方安装的上灯扫描轨道滑接有上LED扫描光源,所述上框架的底部通过下灯扫描轨道支撑架设有下灯扫描轨道,所述下灯扫描轨道上滑接有下LED扫描光源,所述下灯扫描轨道支撑架中部安装有LED光源控制系统。所述机架的左前端安装有曝光控制操作面板,所述曝光控制操作面板电性连接于LED光源控制系统。本实用新型通过曝光控制操作面板控制锁框机构将上框架锁框吸真空,曝光等按钮,实现超长工件图转移,工作效率高,上框架的锁紧定位效果好,有利于超长工件板精确定位,保证曝光质量。
  • 超长工件图形转移曝光
  • [发明专利]晶片边缘曝光模块及晶片边缘曝光方法-CN201010290341.9有效
  • 简聪智;陈永镇;李宏仁 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2010-09-20 - 2011-08-10 - G03F7/20
  • 本发明提供一种晶片边缘曝光模块及晶片边缘曝光方法,该晶片边缘曝光模块连接至一半导体晶片涂布显影系统。该晶片边缘曝光模块包括一晶片旋转装置、一光学系统、一扫描机界面模块以及一控制器。该光学系统同时将一曝光光线指向该晶片的一各别边缘部分,以于该晶片的边缘上创造一伪图案。该扫描机界面模块通过一计算机网络传送及/或接收来自一扫描的一伪边缘曝光信息。该控制器接收来自该扫描机界面模块的该伪边缘曝光信息,并利用该伪边缘曝光信息控制该光学系统。本发明可减少扫描曝光时间及增加产率。
  • 晶片边缘曝光模块方法

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